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IGBT, IKW40N120T2FKSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple

Código de producto RS: 165-8178Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IKW40N120T2FKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

480000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

–40 °C

Capacitancia de puerta

2360pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

8.3mJ

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 223,51

$ 7,45 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
30 - 30$ 7,45$ 223,51
60 - 120$ 7,078$ 212,34
150+$ 6,631$ 198,93

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Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

480000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

–40 °C

Capacitancia de puerta

2360pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

8.3mJ

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

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• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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