Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
480000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Capacitancia de puerta
2360pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
8.3mJ
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
$ 223,51
$ 7,45 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
$ 223,51
$ 7,45 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
30 - 30 | $ 7,45 | $ 223,51 |
60 - 120 | $ 7,078 | $ 212,34 |
150+ | $ 6,631 | $ 198,93 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
480000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Capacitancia de puerta
2360pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
8.3mJ
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.