Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Capacitancia de puerta
1100pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Energía nominal
4.1mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 86,05
€ 4,302 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
€ 86,05
€ 4,302 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
20 - 36 | € 4,302 | € 17,21 |
40 - 96 | € 4,121 | € 16,48 |
100 - 196 | € 3,847 | € 15,39 |
200+ | € 3,623 | € 14,49 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Capacitancia de puerta
1100pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Energía nominal
4.1mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.