AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25VN10-G, 8 pines, SOIC, SPI, 1Mbit, 128K x 8 bits, 18ns, 2 V a 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
18ns
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Longitud
4.97mm
Profundidad
3.98mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.47mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
128K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Longitud
4.97mm
Profundidad
3.98mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.47mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
128K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
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8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
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La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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