MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
OptiMOS P
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
1.25mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.33V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 44,00
€ 0,088 Each (On a Reel of 500) (Sin IVA)
500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 500 - 500 | € 0,088 | € 44,00 |
| 1000 - 2000 | € 0,083 | € 41,65 |
| 2500 - 4500 | € 0,08 | € 39,89 |
| 5000 - 12000 | € 0,075 | € 37,55 |
| 12500+ | € 0,07 | € 35,20 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
OptiMOS P
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
1.25mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.33V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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