MOSFET Infineon BSP129H6327XTSA1, VDSS 240 V, ID 350 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
350 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
240 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
SIPMOS®
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,8 nC a 5 V
Altura
1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,40
€ 0,48 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 2,40
€ 0,48 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,48 | € 2,40 |
| 50 - 120 | € 0,43 | € 2,15 |
| 125 - 245 | € 0,397 | € 1,98 |
| 250 - 495 | € 0,368 | € 1,84 |
| 500+ | € 0,347 | € 1,74 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
350 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
240 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
SIPMOS®
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,8 nC a 5 V
Altura
1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products