MOSFET Infineon BSL308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Series
OptiMOS P
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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TSOP-6
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
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MOSFET Transistors, Infineon
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