MOSFET Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
95 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 17,00
€ 1,70 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 17,00
€ 1,70 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,70 | € 17,00 |
| 50 - 90 | € 1,615 | € 16,15 |
| 100 - 240 | € 1,546 | € 15,46 |
| 250 - 490 | € 1,478 | € 14,78 |
| 500+ | € 1,376 | € 13,76 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
95 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products