MOSFET Infineon 2N7002DWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Series
OptiMOS™
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.25mm
Longitud
2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 153,32
€ 0,051 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,051 | € 153,32 |
| 6000 - 12000 | € 0,049 | € 146,19 |
| 15000+ | € 0,046 | € 139,05 |
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60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Series
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.25mm
Longitud
2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
China
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MOSFET Transistors, Infineon
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