Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
7.67mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1.827,41
€ 0,731 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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2500
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
7.67mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto