Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Largo
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47,5 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 6,47
$ 0,647 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Información de stock no disponible temporalmente.
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Largo
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47,5 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto