Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.2mm
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47,5 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 789,04
€ 0,316 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
€ 789,04
€ 0,316 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.2mm
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47,5 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto