Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
780 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 299,88
$ 0,10 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
$ 299,88
$ 0,10 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 6000 | $ 0,10 | $ 299,88 |
9000+ | $ 0,097 | $ 291,66 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
780 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto