MOSFET DiodesZetex DMN1260UFA-7B, VDSS 12 V, ID 500 mA, X2-DFN0806 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN0806
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
0.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,96 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,147 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
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Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Material del transistor
Si
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,96 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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