P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3

Código de producto RS: 819-3901Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQ2315ES-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Serie

SQ Rugged

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

92 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,4 nC a 4,5 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

3.04mm

Altura

1.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3
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Producción -

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20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 8,45
40€ 16,90
60€ 25,35
80€ 33,80
100€ 42,25
120€ 50,70
140€ 59,14
160€ 67,59
180€ 76,04
200€ 67,59
220€ 74,35
240€ 81,11
260€ 87,87
280€ 94,63
300€ 101,39

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 180€ 0,422€ 8,45
200 - 480€ 0,338€ 6,76
500 - 980€ 0,275€ 5,49
1000 - 1980€ 0,212€ 4,25
2000+€ 0,169€ 3,38

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Mejora

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Si

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Longitud:

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