MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
ThunderFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Ancho
3.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 8,13
€ 1,627 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,627 | € 8,13 |
| 50 - 245 | € 1,462 | € 7,31 |
| 250 - 495 | € 1,38 | € 6,90 |
| 500 - 1245 | € 1,055 | € 5,27 |
| 1250+ | € 0,942 | € 4,71 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
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Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Ancho
3.4mm
Material del transistor
Si
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