Transistor MOSFET Vishay SI9435BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 4.1 A, SOIC de 8 pines

Código de producto RS: 699-7354Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI9435BDY-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Profundidad

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.55mm

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Disponible en múltiplos de 10.

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10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
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P

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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