Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3,12 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 10 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3,12 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 10 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China