Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V