Transistor MOSFET Vishay SI1912EDH-T1-E3, VDSS 20 V, ID 1.13 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.05mm
Profundidad
1.25mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
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6
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.05mm
Profundidad
1.25mm
Temperatura Mínima de Operación
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