Transistor MOSFET Vishay SI1912EDH-T1-E3, VDSS 20 V, ID 1.13 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos

Código de producto RS: 710-3235Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1912EDH-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

2.05mm

Profundidad

1.25mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.9mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

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10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
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130P.O.A.
140P.O.A.
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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

2.05mm

Profundidad

1.25mm

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