Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Ancho
2.38mm
Material del transistor
Si
Altura
6.22mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Ancho
2.38mm
Material del transistor
Si
Altura
6.22mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto