Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Material del transistor
Si
Profundidad
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.39mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,26
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 2,26 |
10 - 49 | € 1,92 |
50 - 99 | € 1,80 |
100 - 249 | € 1,70 |
250+ | € 1,59 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Material del transistor
Si
Profundidad
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.39mm
Datos del producto