P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3

Código de producto RS: 178-3950Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SQD40031EL_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

186 nC @ 10 V

Ancho

2.38mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

Altura

6.22mm

País de Origen

Taiwan, Province Of China

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1000+€ 0,813€ 8,13

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P

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100 A

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

186 nC @ 10 V

Ancho

2.38mm

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Si

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