MOSFET Vishay Siliconix IRF730APBF, VDSS 400 V, ID 5,5 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

400 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

74000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

10.52mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Profundidad

4.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

15.85mm

País de Origen

China