Transistor Darlington, TTD1409B,S4X(S, NPN 6 A, 400 V, Único, HFE:100, TO-220SIS, 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
6 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
600 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10mm
Corriente de base
1A
Altura
15mm
Ancho
4.5mm
Disipación de Potencia Máxima
25 W a 25 °C
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.5 x 15mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
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Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
600 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10mm
Corriente de base
1A
Altura
15mm
Ancho
4.5mm
Disipación de Potencia Máxima
25 W a 25 °C
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