MOSFET Toshiba TK31E60X,S1X(S, VDSS 600 V, ID 30,8 A, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DTMOSIV
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Ancho
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
15.1mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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| 20 - 48 | € 2,536 | € 5,07 |
| 50 - 98 | € 2,458 | € 4,92 |
| 100+ | € 2,416 | € 4,83 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
30,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DTMOSIV
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Ancho
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
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