MOSFET Toshiba TK20N60W5,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
175 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.02mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
55 nC a 10 V
Altura
20.95mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 14,50
€ 2,899 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
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| 25 - 45 | € 2,617 | € 13,08 |
| 50 - 120 | € 2,387 | € 11,94 |
| 125 - 245 | € 2,354 | € 11,77 |
| 250+ | € 2,327 | € 11,64 |
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
175 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.02mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
55 nC a 10 V
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