MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
207 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Altura
15.1mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 1,847
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
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