JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 0.75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Longitud
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,132
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Longitud
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