MOSFET Texas Instruments CSD17303Q5, VDSS 30 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Series
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.05mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Series
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
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