MOSFET Texas Instruments CSD17303Q5, VDSS 30 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 162-8538Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17303Q5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Ancho

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 4,5 V

Altura

1.05mm

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD17303Q5, VDSS 30 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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N

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Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Ancho

5.1mm

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

6.1mm

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Altura

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