MOSFET Texas Instruments CSD16413Q5A, VDSS 25 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 4,5 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Series
NexFET
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 4,5 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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