MOSFET Texas Instruments BQ500101DPCT, VDSS 30 V, ID 10 A, VSON-CLIP de 8 pines, 2elementos, config. Base doble

Código de producto RS: 168-4928Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: BQ500101DPCT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSON-CLIP

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

8 W

Transistor Configuration

Dual Base

Ancho

3.6mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

Longitud

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de diodo directa

0.24V

Altura

1mm

País de Origen

Philippines

Datos del producto

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

Bloque de potencia NexFET de medio puente

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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250

Disponible en múltiplos de 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

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P

Maximum Continuous Drain Current

10 A

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Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSON-CLIP

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

8 W

Transistor Configuration

Dual Base

Ancho

3.6mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

Longitud

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de diodo directa

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