MOSFET STMicroelectronics STP240N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 123,85
€ 2,477 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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| 250+ | € 2,354 | € 117,69 |
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N
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-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
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