MOSFET STMicroelectronics STP130N6F7, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,6 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
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STripFET F7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,6 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
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