MOSFET STMicroelectronics STL60P4LLF6, VDSS 40 V, ID 60 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Series
STripFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 4,5 V
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1.722,24
€ 0,574 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
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±20 V
Ancho
5.4mm
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1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 4,5 V
Altura
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Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
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