MOSFET STMicroelectronics STD25NF20, VDSS 200 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Altura
2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2.717,91
€ 1,087 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Material del transistor
Si
Longitud:
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