MOSFET STMicroelectronics SD2931-10W, VDSS 125 V, ID 20 A, M174 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
125 V
Tipo de Encapsulado
M174
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
389 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
24.89mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Material del transistor
Si
Longitud
26.67mm
Altura
4.11mm
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud
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Altura
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