Diodo TVS Unidireccional, ESDA8P80-1U1M, 1100W, QFN, 2-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
13.2V
Tensión Mínima de Ruptura
6.9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Tensión de Corte Inversa Máxima
6.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
1100W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
80A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.1 x 0.55mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.55mm
Ancho
1.1mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
200nA
Longitud:
1.7mm
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€ 0,083
Each (On a Reel of 8000) (Sin IVA)
8000
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Tensión Mínima de Ruptura
6.9V
Tipo de montaje
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Tipo de Encapsulado
QFN EP
Tensión de Corte Inversa Máxima
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Disipación de Potencia de Pulso de Pico
1100W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
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Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.1 x 0.55mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.55mm
Ancho
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Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
200nA
Longitud:
1.7mm