Transistor MOSFET STMicroelectronics 2N7002, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines

Código de producto RS: 714-6762PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: 2N7002
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-18 V, +18 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,4 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

3.03mm

Profundidad

1.73mm

Series

STripFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.2mm

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Transistor MOSFET STMicroelectronics 2N7002, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines
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Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

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Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-18 V, +18 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,4 nC a 5 V

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