Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-39
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
10000 mW
Maximum Collector Base Voltage
450 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+200 °C
Dimensiones del Cuerpo
9.4 x 9.4 x 6.6mm
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-39
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
10000 mW
Maximum Collector Base Voltage
450 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+200 °C
Dimensiones del Cuerpo
9.4 x 9.4 x 6.6mm