Memoria SRAM Renesas Electronics, 8Mbit, 512K palabras x 16 bits, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
8Mbit
Organización
512K palabras x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones del Cuerpo
18.51 x 10.26 x 1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
18.51mm
Profundidad
10.26mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2,4 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
País de Origen
Japan
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P.O.A.
1
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Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
8Mbit
Organización
512K palabras x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones del Cuerpo
18.51 x 10.26 x 1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
18.51mm
Profundidad
10.26mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2,4 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
País de Origen
Japan