Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
4pF
Dimensiones del Cuerpo
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Longitud
1.08mm
Altura
0.41mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
0.68mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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250 - 950 | € 0,091 | € 4,56 |
1000 - 2450 | € 0,075 | € 3,74 |
2500+ | € 0,074 | € 3,68 |
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N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
4pF
Dimensiones del Cuerpo
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Longitud
1.08mm
Altura
0.41mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
0.68mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.