Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Serie
NVD5C434N
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 3,192
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Serie
NVD5C434N
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto