Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,24
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
50
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,24 | € 11,99 |
500 - 1200 | € 0,221 | € 11,05 |
1250 - 2450 | € 0,208 | € 10,41 |
2500 - 4950 | € 0,192 | € 9,59 |
5000+ | € 0,177 | € 8,83 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto