Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
378 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
128 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C404N
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 7,19
Each (Sin IVA)
1
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
378 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
128 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C404N
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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