MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
313 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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€ 9,411
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 9,411 | € 47,06 |
| 10 - 95 | € 8,43 | € 42,15 |
| 100 - 245 | € 8,21 | € 41,05 |
| 250 - 495 | € 8,001 | € 40,00 |
| 500+ | € 7,799 | € 39,00 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
313 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
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