Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,347 | € 1,74 |
50 - 95 | € 0,299 | € 1,50 |
100 - 495 | € 0,26 | € 1,30 |
500 - 995 | € 0,229 | € 1,15 |
1000+ | € 0,207 | € 1,04 |
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Especificaciones
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.