Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Altura
16.12mm
Profundidad
4.9mm
Dimensiones del Cuerpo
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
10.63mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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€ 0,913
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
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Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
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Número de Elementos por Chip
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Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Altura
16.12mm
Profundidad
4.9mm
Dimensiones del Cuerpo
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
10.63mm
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Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
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