Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
3.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
5mA
Altura
15.75mm
Profundidad
4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.28mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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€ 1,193
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,193 | € 59,64 |
100 - 450 | € 0,974 | € 48,71 |
500 - 950 | € 0,826 | € 41,28 |
1000+ | € 0,744 | € 37,19 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
3.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
5mA
Altura
15.75mm
Profundidad
4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.28mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.