MOSFET onsemi HUF75339P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
UltraFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 1,724
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
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Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
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